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用变址寻址原理突破EEPROM存储器的擦写寿命极限
zhchxgh | 2009-07-10 17:19:27    阅读:3095   发布文章
用变址寻址原理突破EEPROM存储器的擦写寿命极限

    一般地,EEPROM存储器(如93C46/56/66系列)的擦写次数为10万次,超过这一极限时,该单元就无法再使用了。但在实际应用中,可能有些数据要反复改写。这时,可通过变址寻址的方式来突破EEPROM存储器的擦写寿命极限。

    比如,我们有一个单字节的数据要保存在E2PROM(93C56)中,可按以下方法来做:

    1、将93C56的00H单元定义为地址指针存放单元。
    2、将要寻址的单元地址(假设为01H)放入93C56的00H地址中。
    3、每次要对E2PROM中的数据进行读写时,先读取00H中的数据,并以读出的值为地址,访问其指向的单元。
    4、在每次写完数据后,立即将数据再读出,并与写入的地址做比较。
        A、如果相等,则代表本次写入数据成功。
        B、如果不相等,则代表本次写入数据失败。这时,将00H中的值+1,让其指向后一个新的地址单元,再将数据写入新的地址单元。
    
    93C56共有128个字节单元,按照以上方法,可将数据的擦写次数提升120多倍!达到1200多万次!

    对于24C16/32/64系列的芯片,也可采用这种方法。
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