用变址寻址原理突破EEPROM存储器的擦写寿命极限

    一般地,EEPROM存储器（如93C46/56/66系列）的擦写次数为10万次,超过这一极限时,该单元就无法再使用了。但在实际应用中，可能有些数据要反复改写。这时，可通过变址寻址的方式来突破EEPROM存储器的擦写寿命极限。

    比如，我们有一个单字节的数据要保存在E2PROM（93C56）中，可按以下方法来做：

    1、将93C56的00H单元定义为地址指针存放单元。
    2、将要寻址的单元地址（假设为01H）放入93C56的00H地址中。
    3、每次要对E2PROM中的数据进行读写时，先读取00H中的数据，并以读出的值为地址，访问其指向的单元。
    4、在每次写完数据后，立即将数据再读出，并与写入的地址做比较。
        A、如果相等，则代表本次写入数据成功。
        B、如果不相等，则代表本次写入数据失败。这时，将00H中的值+1，让其指向后一个新的地址单元，再将数据写入新的地址单元。
    
    93C56共有128个字节单元，按照以上方法，可将数据的擦写次数提升120多倍！达到1200多万次！

    对于24C16/32/64系列的芯片，也可采用这种方法。

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