0.03微米芯片制造工艺有望走出实验室



　　新华网华盛顿4月11日专电 使用超紫外线光刻技术(EUV)的芯片制造机器在实验室揭开面纱。如果这项技术走出实验室，它有望维持芯片处理能力的持续提高的期限再延长30年。
 
　　这种超紫外线光刻技术能够将芯片的规格缩小到0.03微米，其技术关键在于紫外光的波长，因为超紫外光有较短的波长，能够将小尺寸的电路蚀刻在硅薄片上。但这种不可见光能够被空气和聚焦透镜吸收，因此必须在真空状态下进行操作。

　　从90年代开始，英特尔公司、摩托罗拉公司和高级微设备公司等公司就开始研发超紫外线光刻技术。目前还存在一些技术问题亟待解决。

　　目前使用的是紫外线光刻技术使用的是深紫外光，这一工艺在理论上能够蚀刻印刷电路的最小尺寸为0.1微米，以目前芯片的更新速度计算，到2003年即将达到这一极限。而超紫外线光刻技术可使摩尔定律有效期延长到2010年。

　　1965年，英特尔公司合作奠基人摩尔预言，芯片上晶体管数量每隔18个月就会翻一番，被称为著名的“摩尔定律”。到目前为止，这一定律还是正确性。(完）

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